半導体を用いた電子デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 産形和央 , 臼井伸一 , 藤野育男 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 高梨憲通 , 朝日伸光 , 高橋誠一郎 , 吉澤弘司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-164854
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005359
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が3.45eV以上であるような酸化モリブデンが用いられる。本発明によれば、高耐圧特性および高耐環境特性を有する電子デバイスが実現できる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

デバイスの主要部に高純度酸化モリブデンを用いた半導体電子デバイス。

IPC (8件)：

H01L29/12 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L21/338 , H01L29/73 , H01L29/74 , H01L29/812 , H01L29/861

FI (7件)：

H01L29/14 , H01L21/205 , H01L29/80 B , H01L29/72 Z , H01L29/74 V , H01L29/91 D , H01L29/91 F

Fターム (32件)：

5F003AP06 , 5F003BA92 , 5F003BB04 , 5F003BC04 , 5F003BE04 , 5F003BE90 , 5F003BM04 , 5F003BP46 , 5F005AB01 , 5F005AD02 , 5F005AH04 , 5F005BA01 , 5F005GA01 , 5F045AA20 , 5F045AC11 , 5F045AF10 , 5F045CA01 , 5F045CA05 , 5F045DA53 , 5F045DA63 , 5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ00 , 5F102GJ10 , 5F102GK00 , 5F102GL00 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (2件)

電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-222148 出願人：株式会社リコー
光起電力素子用基板、これを用いた光起電力素子及び集積型光起電力素子並びに集積型光起電力素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-098643 出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (2件)

電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-222148 出願人：株式会社リコー
光起電力素子用基板、これを用いた光起電力素子及び集積型光起電力素子並びに集積型光起電力素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-098643 出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

出願人引用 (3件)

審査官引用 (3件)

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