特許
J-GLOBAL ID：200903046330724230
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106695
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293929
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 ZnSe系化合物半導体を用いた青緑色半導体レーザにおいて、低欠陥の半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2を形成した後、n型Ge層3を形成する。その後、順次n型ZnMgSSeクラッド層5、活性層6〜8、p型ZnMgSSeクラッド層9、p型ZnSSeクラッド層10、p型ZnSe/ZnTeコンタクト層11を形成する。これによって、GaAs基板とZnSe系半導体界面に発生する欠陥が低減され長寿命の半導体レーザが実現する。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成したGaAsエピタキシャル層と、前記GaAsエピタキシャル層上に形成した、第一の導電型のGe層および第一の導電型のZnSe層と、前記ZnSe層上に形成したZn1-xCdxSe(0≦x≦1)系活性層とを有する半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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