特許
J-GLOBAL ID：200903046332128480
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-303416
公開番号（公開出願番号）：特開2004-137556
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】金属膜を成膜するCVD成膜装置のチャンバをフロロカーボン系ガスを用いてクリーニングする。【解決手段】チャンバ2内部のクリーニング時において、四重極型質量分析計QMSを用いてチャンバ2内部にて検出されるWF5+、WOF4+およびCO+のうち少なくとも一種のイオンピーク強度を測定し、そのイオンピーク強度の増加または減少がほぼ飽和した時点でクリーニング終点と判断し、チャンバ2のプラズマ放電の停止および流入ポート16へのC3F8ガス(クリーニングガス)の流入を停止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハに対して化学的成膜手段により薄膜を成膜し、所定枚数の前記半導体ウェハに対して前記薄膜の成膜処理を施した後に成膜処理室内のクリーニングが行われる半導体製造装置であって、前記クリーニングは、(a)フロロカーボン系ガスを用いた反応処理により、前記成膜処理室内に付着した堆積物を除去する工程と、
(b)前記(a)工程中において、前記成膜処理室内にて前記反応処理によって生じる第1イオンのイオンピーク強度を観察し、前記第1イオンのイオンピーク強度の変化が飽和した時点で前記反応処理を停止する工程と、
を含む工程によって行われることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C16/44 J
, H01L21/285 C
4K030BA01
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA03
, 4K030DA06
, 4K030DA08
, 4K030HA17
, 4K030KA39
, 4K030LA15
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104DD44
