特許
J-GLOBAL ID：200903046336782630
窒化物系半導体を用いた半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-213410
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065270
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 基板と窒化物系半導体層との間には、格子定数の差異によって結晶欠陥が発生する。これは高温成長した緩衝層でも同じである。一方、低温成長した緩衝層を用いた場合にはその上に成長する結晶の成長軸にずれが生じ、高品質の単結晶を形成することができなかった。【解決手段】 基板側に多結晶に近く、単結晶層側に単結晶に近い、かつその間を連続的あるいは段階的に変化する緩衝層を用いることにより、結晶欠陥密度が低く、結晶軸のそろった良質な単結晶を提供することができる。
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に緩衝層を形成してなる窒化物系半導体を用いた半導体素子において、前記緩衝層の結晶性が単結晶基板側から窒化物系半導体層に向けて、段階的にあるいは連続的に変化するように構成したことを特徴とする窒化物系半導体を用いた半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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