特許
J-GLOBAL ID：200903046346701868
電界放出型冷陰極及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 英介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013545
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215793
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 CMOS等のトランジスタからなる周辺回路、放出した電子ビームを集束するための集束電極を配設可能にすると共に、高耐圧なカソード配線を具備したXYアドレス可能とする。【解決手段】 シリコン基板1の凸部に電子放出領域を形成し、凹部に周辺回路領域を形成する。電子放出領域においては、カソード19の先端部周囲を取り囲むように、シリコン基板1にゲート絶縁層10、ゲート電極14が形成され、ゲート電極14の上層には層間絶縁層21、集束電極43が形成されている。一方、周辺回路領域(凹部)においては、MOSトランジスタがロコス6で素子分離され、ゲート電極17及びソース及びドレイン18に対して、層間絶縁層21上に引き出し配線41,40が設けられている。
請求項（抜粋）：
電子を放出する突起状のカソードと、前記カソードから電子を引き出すためのゲート電極と、前記カソードと前記ゲート電極とを絶縁するためのゲート絶縁膜とから構成される電界放出型冷陰極において、凸部及び凹部を形成した基板を備え、前記凸部に前記カソード、ゲート電極及びゲート絶縁膜を有する電子放出領域を形成し、前記凹部に該電子放出領域の各部を駆動するための回路を有する周辺回路領域を形成し、さらに少なくとも前記電子放出領域には前記カソード及び前記ゲート電極に駆動電圧を供給する配線をそれぞれ形成したことを特徴とする電界放出型冷陰極。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/304
, H01J 29/04
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
, H01J 29/04
