特許

J-GLOBAL ID：200903046347779178

窒化物半導体製造方法

発明者： 平野 光 ,  田村 至 ,  シリル ペルノー ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149774
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340519
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 Alの組成比xが0.2以上であっても、高キャリア濃度のp-AlxGa1-xN層を作製可能な、更には、良好な特性の受光素子や火炎センサを作製可能な窒化物半導体製造方法を提供する。【解決手段】 AlxGa1-xN(x≧0.2)において、BeとPの両方を含む不純物を注入またはドーピングすることにより、p-AlxGa1-xNを得る。更に好ましくは、BeとPの両方を含む前記AlxGa1-xNに対して、熱処理を施すか、或いは、電流注入または電子ビーム照射またはその両方の組み合わせにより、Beを活性化させる。

請求項（抜粋）：

AlxGa1-xN(x≧0.2)において、BeとPの両方を含む不純物を注入またはドーピングすることにより、p-AlxGa1-xNを得ることを特徴とする窒化物半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  G01J 1/02 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 21/265 601 Z ,  G01J 1/02 G ,  H01L 21/265 601 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (12件)：

2G065AA04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  2G065DA06 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA10 ,  5F049NB07 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049WA05