特許

J-GLOBAL ID：200903046348114315

三層レジスト法

発明者： 斉藤 雅夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341533
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 三層レジストの上層レジストのみの剥離を容易にする。【構成】 基板11上に順次形成した、下層レジスト12,中間層13,上層レジスト14のうち、上層レジスト14のみを剥離し易くするため、低濃度解像レジストを上層レジストに用いる。このため、2.38%の通常のTMAH系現像液で容易に上層レジストを除去できる。これにより、上層レジストの形成し直しが容易となり、半導体製造工程の歩留まりを向上する。

請求項（抜粋）：

基板上に下層レジストを塗布した後、該下層レジスト上に酸化シリコンで成る中間層を形成し、該中間層上にパターン形成用の上層レジストを塗布した後、該上層レジストを露光,現像してレジストパターンとなし、このレジストパターンをマスクとして異方性ドライエッチングを行なう三層レジスト法において、前記上層レジストとして、2.38%のTMAH系現像液よりも低濃度の現像液で解像可能で且つ現像中に表面難溶化性を示す低濃度解像レジストを用いたことを特徴とする三層レジスト法。

IPC (3件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-067149