特許
J-GLOBAL ID：200903046349616586
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324870
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162848
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 禁止帯幅が比較的小さい窒素を含む立方晶の結晶性の良いIII -V族化合物半導体層を備えたエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 立方晶の基板上に、砒化燐化窒化硼素(BN<SB>i</SB> P<SB>j</SB> As<SB>k</SB> 、但し0<i<1、0≦j<1、0≦k<1、i+j+k=1)よりなる立方晶を主体としたバッファ層を形成し、該バッファ層上に、Al<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> In<SB>c</SB> N<SB>d</SB> M<SB>1-d</SB>(0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、a+b+c=1、Mは窒素以外の第V族元素、0<d≦1)よりなる立方晶を主体としたエピタキシャル薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
立方晶の基板上に、砒化燐化窒化硼素(BN<SB>i</SB> P<SB>j</SB> As<SB>k</SB> 、但し0<i<1、0≦j<1、0≦k<1、i+j+k=1)よりなる立方晶を主体としたバッファ層を形成し、該バッファ層上に、Al<SB>a</SB> Ga<SB>b</SB> In<SB>c</SB> N<SB>d</SB> M<SB>1-d</SB> (0≦a≦1、0≦b≦1、0≦c≦1、a+b+c=1、Mは窒素以外の第V族元素、0<d≦1)よりなる立方晶を主体としたエピタキシャル薄膜を形成したエピタキシャルウェハ。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 29/80 B
