特許

J-GLOBAL ID：200903046352245424

半導体装置とその製造方法

発明者： 薮下 哲男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-177886
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021132
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】リードフレームのダイパッド6上に半導体素子1を接着固定し、半導体素子のボンディングパッド2とインナーリード3を金線4等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止してなる半導体装置において前記ダイパッド上に非絶縁物からなるダイポスト8を設置し、前記ボンディングパッド2とワイヤ9にて接続した事を特徴とした半導体装置。【効果】グランドボンドを必要とする半導体装置においてダイパッドの大きさをグランドボンド無しの半導体装置のダイパッドと同じくらいにできる。特にQFP等の表面実装型半導体装置の高い信頼性を確保する事ができる。さらにはダイポストを使用する事で専用リードフレームを使用する事無く半導体装置を製造でき、リードフレームの汎用性を高める事ができる。また銀メッキ範囲を少なくしたリードフレームを使用できるという安価な半導体装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

リードフレームのダイパッド上に半導体素子を接着固定し、半導体素子のボンディングパッドとインナーリードを金線等のワイヤにて接続した後、樹脂等で封止してなる半導体装置において前記ダイパッド上に非絶縁物からなるダイポストを設置し、前記ボンディングパッドとワイヤにて接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/50