特許
J-GLOBAL ID:200903046355793481
屈折率変化層の形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
米田 潤三
, 皿田 秀夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-368520
公開番号(公開出願番号):特開2005-133131
出願日: 2003年10月29日
公開日(公表日): 2005年05月26日
要約:
【課題】 成膜材料を変更することなく厚み方向で屈折率が変化する屈折率変化層を基材上に形成することができる方法を提供する。【解決手段】 所望の材料を成膜材料としてイオンプレーティング法により基材上に屈折率変化層を形成する方法として、成膜時に反応性ガスをその導入量を制御しながら導入することにより成膜される層の屈折率を変化させ、成膜材料を変更することなく、厚み方向で屈折率が変化した屈折率変化層を基材上に形成する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
所望の成膜材料を用いてイオンプレーティング装置により基材上に成膜する際に、反応性ガスをその導入量を制御しながら導入することにより、厚み方向で屈折率が変化した屈折率変化層を基材上に形成することを特徴とする屈折率変化層の形成方法。
IPC (3件):
C23C14/32
, G02B1/10
, G02B1/11
FI (3件):
C23C14/32 E
, G02B1/10 A
, G02B1/10 Z
Fターム (15件):
2K009AA02
, 2K009AA15
, 2K009CC03
, 2K009DD07
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA46
, 4K029BA48
, 4K029BA58
, 4K029BC07
, 4K029CA04
, 4K029EA03
, 4K029EA04
, 4K029FA07
引用特許:
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