特許

J-GLOBAL ID：200903046361240745

半導体プロセスの改良方法

発明者： バールマ,フランク・アール ,  エリオット,ブレント・ディ
出願人/特許権者： インシンク・システムズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-520051
公開番号（公開出願番号）：特表平9-508494
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】半導体製造で使用するプロセスの均一性、信頼性、およびスループットを向上させる新規の方法である。湿気汚染を減少させるために使用する本発明の1つのプロセスでは、基板をチャンバ内に入れる(202)。次にこのチャンバを排気する(204)。次に、チャンバに乾燥した加熱済みガスを充填して、基板の表面に付着した湿気を離脱させる(206)。次にチャンバを排気して、加熱済みガスと、基板の表面から脱着された湿気とを除去する(208)。チャンバ内および基板上に存在するすべての湿気が完全に除去されるように、このプロセスを繰り返す(210)。ガス温度を正確に制御するために用いる他のプロセスでは、半導体プロセスで使用するガスを反応容器に注入する前に反応温度に加熱する。

請求項（抜粋）：

基板を処理する前に前記基板から湿気を除去する方法であって、 a.前記基板をチャンバに入れるステップと、 b.前記チャンバを排気するステップと、 c.前記チャンバに加熱済みガスを充填するステップと、 d.前記チャンバに前記加熱済みガスを充填した後で、前記チャンバを排気するステップとを含む方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 361 ,  C23C 14/24 ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/304 361 H ,  C23C 14/24 M ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N