特許
J-GLOBAL ID：200903046369527148
電界放出陰極及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342416
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196086
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 電流密度が大きく、特性が安定した大面積化に有利な電界放出陰極及びその形成方法を得る。【構成】 超微粒子6を所定の配向方向で充填したフォトレジスト7を基板1上に塗布し、このフォトレジスト7をパターニングし、超微粒子6とフォトレジスト7を選択エッチングして超微粒子6をフォトレジスト7から突出させ、フォトレジスト7上に導電性膜8を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に所定の形状に形成された陰極部とから成り、この陰極部中に、所定の方向に配向されるとともに一端が陰極部から露出する微小針状電極を備えたことを特徴とする電界放出陰極。
IPC (2件)：
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