特許

J-GLOBAL ID：200903046375137289

電子素子及びその製造方法

発明者： 福井 洋文 ,  岩崎 千里
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-020468
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213621
出願日： 1995年02月08日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】 OFF電流とコストが共に低い電子素子及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明の電子素子は、基板表面にゲート電極が形成されており、前記基板およびゲート電極を被ってゲート絶縁膜が形成された電子素子において、前記ゲート電極真上にはゲート電極よりも幅が狭い半導体能動層が形成されており、前記半導体能動層上にはオーミックコンタクト層を介して導電体層からなり互いに離間されたソース電極とドレイン電極とが形成されており、前記半導体能動層と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間にはすべて前記オーミックコンタクト層が形成されており、前記オーミックコンタクト層の離間の間隔よりも前記ソース電極と前記ドレイン電極との離間の間隔の方が広く形成されており、かつ、前記基板は、前記ゲート電極が形成されていない前記基板の裏面側から、光が照射されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板表面にゲート電極が形成されており、前記基板およびゲート電極を被ってゲート絶縁膜が形成された電子素子において、前記ゲート電極真上にはゲート電極よりも幅が狭い半導体能動層が形成されており、前記半導体能動層上にはオーミックコンタクト層を介して導電体層からなり互いに離間されたソース電極とドレイン電極とが形成されており、前記半導体能動層と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間にはすべて前記オーミックコンタクト層が形成されており、前記オーミックコンタクト層の離間の間隔よりも前記ソース電極と前記ドレイン電極との離間の間隔の方が広く形成されており、かつ、前記基板は、前記ゲート電極が形成されていない前記基板の裏面側から、光が照射されることを特徴とする電子素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-259565
  
• 特開平1-259565
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196260   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-350944