特許

J-GLOBAL ID：200903046375407189

薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の作製方法

発明者： 梶原 慶
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-132443
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329878
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 結晶シリコン系薄膜太陽電池のpin接合の界面を改良することにより光電変換効率を向上する。【解決手段】 結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をi層として用いたpin接合を含む薄膜太陽電池における基板側のpまたはn型導電層とi層との界面における酸素原子濃度を5×1020atoms/cm3以下に抑制する。

請求項（抜粋）：

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をi層に用いた少なくとも1つのpin接合が基板上に積層された薄膜太陽電池からなり、前記pin接合における基板側のpまたはn型導電層とその上に積層されるi層との界面における酸素原子濃度が5×1020atoms/cm3以下である薄膜太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 N

Fターム (22件)：

5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA65 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051CB12 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03