薄膜形成方法、基材、及び薄膜形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-292179
公開番号（公開出願番号）：特開2003-096569
出願日： 2001年09月25日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】基材の厚さにあまり制約されずに緻密で良質な薄膜を形成でき、長時間稼動できる薄膜形成方法を提供する。【解決手段】対向する電極間に基材を配置し、大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、対向する電極間に電力を供給することで反応性ガスを含む混合ガスをプラズマ状態とし、基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法において、対向する電極のうち一方の電極には1kHz以上15kHz未満の周波数の電圧を印加し、他方の電極には100kHzを超え150MHz以下の周波数の電圧を印加する。基材は、高周波側である前記他方の電極にほぼ接触する状態で設けられる。

請求項（抜粋）：

大気圧または大気圧近傍の圧力の下で、対向する電極の双方に電力を供給し放電させて反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材の表面に薄膜を形成する薄膜形成方法において、対向する電極のうち一方の電極には1kHz以上15kHz未満の周波数の電圧を印加し、他方の電極には100kHzを超え150MHz以下の周波数の電圧を印加することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/509 , G02B 1/11 , H01L 21/205 , H05H 1/24

FI (4件)：

C23C 16/509 , H01L 21/205 , H05H 1/24 , G02B 1/10 A

Fターム (50件)：

2K009AA02 , 2K009BB24 , 2K009BB28 , 2K009CC03 , 2K009CC26 , 2K009CC42 , 2K009DD04 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA11 , 4K030BA16 , 4K030BA18 , 4K030BA21 , 4K030BA29 , 4K030BA46 , 4K030BB12 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA03 , 4K030JA06 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 4K030KA15 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AE29 , 5F045AF07 , 5F045BB09 , 5F045DA64 , 5F045EB08 , 5F045EE12 , 5F045EE14 , 5F045EH04 , 5F045EH08 , 5F045EH14 , 5F045EH19 , 5F045EJ05 , 5F045EJ09

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