特許
J-GLOBAL ID：200903046379879115
薄膜トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304294
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【構成】 ゲート電極となる第一の導電層4をニオブから成る下層導電層4aとα-タンタルから成る上層導電層4bとの二層構造にすると共に、この第一の導電層4と下地層である透明導電層2との間にバリヤ層3を設けた。【効果】 透明導電層2や第一の導電層4が加熱された場合でも第一の導電層4が剥離することはない。したがって、ゲート電極となる第一の導電層4の下地層に透明導電層2が形成された薄膜トランジスタでも、ゲート電極に比抵抗の小さいα-タンタルを用いることができる。
請求項（抜粋）：
基板上にゲート電極の下地層となる透明導電層、ゲート電極となる第一の導電層、ゲート絶縁膜となる絶縁層、およびチャネル層となる第一の半導体層を順次積層して設けると共に、この第一の半導体層上にオーミックコンタクト層となる第二の半導体層とソース・ドレイン電極となる第二の導電層を分割して設けた薄膜トランジスタにおいて、前記第一の導電層をニオブから成る下層導電層とα-タンタルから成る上層導電層との二層構造にすると共に、この第一の導電層と前記透明導電層との間にバリヤ層を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
前のページに戻る
