特許
J-GLOBAL ID：200903046384156687
半導体補助記憶装置のバックアップ方法と不揮発化半導体補助記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053964
公開番号（公開出願番号）：特開平6-266626
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体補助記憶装置、バックアップ用不揮発性記憶装置間で、常時記憶内容の同一化を図った上で、その補助記憶装置をバックアップするること。【構成】 上位装置1から補助記憶制御回路3を介し転送される書込みアドレスおよび書込みデータによって、補助記憶装置6内のデータは更新されるが、それら書込みアドレス、書込みデータは同時に記憶制御回路5内にキューとして一時記憶された上、不揮発性記憶装置2に速やかに転送記憶される一方、補助記憶装置6が初期設定されるに際しては、不揮発性記憶装置2上のデータは補助記憶装置6上にDMA転送記憶されているものである。
請求項（抜粋）：
上位装置から補助記憶制御回路を介し読出し・書込みアクセス可として配置されている、揮発性半導体メモリより構成されている半導体補助記憶装置のバックアップ方法であって、上位装置から補助記憶制御回路を介し半導体補助記憶装置に転送される書込みアドレスおよび書込みデータは、同時にバックアップ用記憶制御回路内にキューとして一時記憶された上、バックアップ用不揮発性記憶装置に転送記憶される一方、上記半導体補助記憶装置が初期設定されるに際して、上記バックアップ用記憶制御回路による制御下に、バックアップ用不揮発性記憶装置に記憶されているデータは、DMA転送記憶が終了されるまでの間、上位装置から半導体補助記憶装置への読出し・書込みアクセスが禁止された状態で、上記半導体補助記憶装置にDMA転送記憶されるようにした、半導体補助記憶装置のバックアップ方法。
IPC (3件)：
G06F 12/16 310
, G06F 3/06 304
, G06F 13/28 310
