特許

J-GLOBAL ID：200903046385364283

イオン衝撃損傷の除去法

発明者： 山田 孝二 ,  中西 秀男 ,  和田 一実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219235
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041359
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子の製造工程において半導体試料中導入されているイオン衝撃損傷を、半導体試料中に導入されている不純物に熱拡散、再分布などを生ぜしめることなしに、低温で、除去する。【構成】 半導体試料に導入されているイオン衝撃損傷の深さ位置に応じた波長を有する光を半導体試料に照射させる。

請求項（抜粋）：

半導体試料に対する荷電粒子、中性粒子などの照射中または照射後に、光照射し、同一時間での光照射によるアニ-ル効果と熱アニ-ル処理によるそれとが等しくなる温度Tc よりも低い温度で欠陥の除去を行うにつき、除去したい損傷領域の深さ(z)における光の強度が試料表面の強度の1/eより大きくなる光を照射することを特徴とするイオン衝撃損傷の除去法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/302 ,  H01L 43/14 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/265 C ,  H01L 21/265 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-274620
  
• 特開昭60-216561
  
• 特開昭60-031233