薄箔用アルミニウム箔地及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-225012
公開番号（公開出願番号）：特開2000-054046
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：

【要約】【課題】 JIS1N30相当の組成であっても、箔圧延及びピンホール特性を損なうことなく、箔を薄箔化できるアルミニウム箔地及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Fe:0.3乃至1.0重量%、Si:0.15重量%未満を含有し、残部がAl及び不可避的不純物である組成のアルミニウム合金の溶湯を、凝固時の冷却速度を0.3乃至3.0°C/secで半連続鋳造し、面削した後、400乃至620°Cの温度範囲で均質化処理を施し、320乃至450°Cの温度範囲で、1パス当たり37乃至60%の圧延率で熱間粗圧延を行い、終了温度が200乃至260°Cの温度範囲となるように仕上熱間圧延し、前記仕上熱間圧延終了後に圧延率50%以上の冷間圧延を行い、300乃至450°Cで中間焼鈍を施し、更に冷間圧延をすることにより、粒径が0.1乃至0.8μm以下の金属間化合物の平均粒子間距離が0.7乃至2.5μmであり、平均結晶粒径が35μm以下であるアルミニウム箔地を製作する。このアミニウム合金に添加されるCu及びTiの量は夫々0.02重量%以下及び0.03重量%以下である。

請求項（抜粋）：

Fe:0.3乃至1.0重量%、Si:0.15重量%未満を含有し、残部がAl及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金において、粒径が0.1乃至0.8μmの金属間化合物の平均粒子間距離が0.7乃至2.5μmであると共に、前記アルミニウム合金の平均結晶粒径が35μm以下であることを特徴とする薄箔用アルミニウム箔地。

IPC (15件)：

C22C 21/00 , B21B 3/00 , C22F 1/04 , C22F 1/00 601 , C22F 1/00 622 , C22F 1/00 673 , C22F 1/00 681 , C22F 1/00 682 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 685 , C22F 1/00 686 , C22F 1/00 691 , C22F 1/00 692 , C22F 1/00 694 , C22F 1/00

FI (15件)：

C22C 21/00 M , B21B 3/00 J , C22F 1/04 F , C22F 1/00 601 , C22F 1/00 622 , C22F 1/00 673 , C22F 1/00 681 , C22F 1/00 682 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 685 Z , C22F 1/00 686 A , C22F 1/00 691 B , C22F 1/00 692 A , C22F 1/00 694 B , C22F 1/00 694 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-257459
特開昭59-064754

前のページに戻る