プローブおよびこれを備えたセンサ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：森哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-333921
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
要約：

【要約】【課題】プローブと信号処理回路が一体になっているセンサであって、従来のものよりプローブの形成方法が簡単で、且つプローブの直径および隣り合うプローブの間隔がより小さいものを提供する。【解決手段】本発明のセンサは、半導体基板1上に、多数の針状突起からなるプローブ2と、各プローブ2から入力された電気信号を処理する信号処理回路3とが形成されたものである。このセンサは、信号処理回路3のスイッチアレイとして、NMOSFETを各プローブ2毎に備えている。各プローブ2は、NMOSFETのドレイン(高濃度拡散層)を下地として結晶成長させた突起である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の拡散層を下地として結晶成長させた突起からなることを特徴とするプローブ。

IPC (7件)：

A61B 5/0408 , A61B 5/0478 , A61B 5/0492 , A61B 5/0476 , G01N 27/30 , G01R 1/073 , H01L 21/66

FI (6件)：

A61B 5/04 300 J , G01N 27/30 A , G01N 27/30 F , G01R 1/073 F , H01L 21/66 B , A61B 5/04 320 A

Fターム (19件)：

2G011AA02 , 2G011AA16 , 2G011AA21 , 2G011AC11 , 2G011AE03 , 2G011AF07 , 4C027AA04 , 4C027EE01 , 4C027FF01 , 4C027KK01 , 4C027KK07 , 4M106AA02 , 4M106AB01 , 4M106AB06 , 4M106BA01 , 4M106CA01 , 4M106DD03 , 4M106DD11 , 4M106DD30

引用文献：

審査官引用 (1件)

VLS成長法によるインテリジェント神経出にセンサ用Siワイヤー選択成長

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