特許
J-GLOBAL ID：200903046395595690
電界効果素子用積層薄膜および該積層薄膜を用いた電界効果トランジスター
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾股 行雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203396
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190924
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【構成】半導体層、絶縁体層および導電体層を順次積層した積層薄膜において、絶縁体層を、その結晶構造を銅酸化物超伝導体と同一結晶とし、かつ銅酸化物超伝導体のCuの少なくとも一部を他の遷移金属元素で置換すると共に、半導体層を該銅酸化物超伝導体と同一結晶構造の酸化物層とした。【効果】本素子により、銅酸化物超伝導体を用いた超伝導素子と電界効果トランジスター(FET)とを同一基板上に容易に集積することが可能となる。また、この構造は、作製プロセスの向上により電界効果による超伝導トランジスターを作製し得る可能性を潜めたデバイスとなり得る。
請求項（抜粋）：
半導体層、絶縁体層および導電体層が順次積層された積層薄膜であって、前記絶縁体層は、その結晶構造が銅酸化物超伝導体と同一結晶であり、かつ銅酸化物超伝導体のCuの少なくとも一部を他の遷移金属元素で置換した層であり、前記半導体層は該銅酸化物超伝導体と同一結晶構造の酸化物層であることを特徴とする電界効果素子用積層薄膜。
引用特許：
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