特許
J-GLOBAL ID：200903046400169565
半導体装置作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-020508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021460
出願日： 1991年01月21日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 ソース-チャネル間、ドレイン-チャネル間に、窒素、酸素の内の少なくとも一種類の元素が添加された領域を設けるためにゲイト電極をマスクとして用いた工程を採用する。【構成】 基板上に半導体装置を設ける半導体装置の作製方法であって、まずゲイト絶縁膜上のゲイト電極のパターニングと不純物である炭素、窒素、酸素の内の少なくとも一種類の元素を添加するための窓開けを同時に行い、つぎに不純物をこの窓を通して打ち込み、、その後にゲイト電極を完成することによりソース、ドレインの間に炭素、窒素、酸素の内の少なくとも一種類の元素が添加された領域を設ける工程を特徴とする半導体装置作製方法。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体装置を設ける半導体装置の作製方法であって、ゲイト絶縁膜上のゲイト電極のパターニングと炭素、窒素、酸素の内の少なくとも一種類の元素を添加するための窓開けを同時に行い、前記窓を通し前記元素を添加し、その後にゲイト電極を完成することによりゲイト電極下の半導体膜の外側あるいは前記ゲイト電極下の半導体膜とソース、ドレインの間に炭素、窒素、酸素の内の少なくとも一種類の元素が添加された領域を設ける工程を有する半導体装置作製方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
