低温焼成セラミック焼結体およびその製造方法、並びに配線基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-257775
公開番号（公開出願番号）：特開2003-040668
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：

【要約】【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、1000°C以下の低温での焼成によって製造することができ、Cu、Ag、Au、Al等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。【解決手段】結晶相として、(a)ガーナイト結晶相および/またはスピネル結晶相、(b)アスペクト比が3以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び(c)AlN、Si3N4、SiC、Al2O3、ZrO2、3Al2O3・2SiO2及びMg2SiO4の群から選ばれる少なくとも1種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が0.3%以下であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

結晶相として、(a)ガーナイト結晶相および/またはスピネル結晶相、(b)アスペクト比が3以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び(c)AlN、Si3N4、SiC、Al2O3、ZrO2、3Al2O3・2SiO2及びMg2SiO4の群から選ばれる少なくとも1種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が0.3%以下であることを特徴とする低温焼成セラミック焼結体。

IPC (15件)：

C04B 35/111 , C04B 35/053 , C04B 35/14 , C04B 35/48 , C04B 35/565 , C04B 35/581 , C04B 35/584 , H01B 3/02 , H01B 3/12 333 , H01B 3/12 335 , H01B 3/12 336 , H01B 3/12 337 , H01B 3/12 338 , H05K 1/03 610 , H05K 3/46

FI (16件)：

C04B 35/14 , C04B 35/48 Z , H01B 3/02 A , H01B 3/12 333 , H01B 3/12 335 , H01B 3/12 336 , H01B 3/12 337 , H01B 3/12 338 , H05K 1/03 610 D , H05K 3/46 H , H05K 3/46 T , C04B 35/10 D , C04B 35/04 A , C04B 35/56 101 F , C04B 35/58 102 D , C04B 35/58 104 F

Fターム (113件)：

4G001BA02 , 4G001BA03 , 4G001BA04 , 4G001BA05 , 4G001BA06 , 4G001BA07 , 4G001BA09 , 4G001BA12 , 4G001BA14 , 4G001BA22 , 4G001BA32 , 4G001BA36 , 4G001BA71 , 4G001BB02 , 4G001BB03 , 4G001BB04 , 4G001BB05 , 4G001BB06 , 4G001BB07 , 4G001BB09 , 4G001BB12 , 4G001BB14 , 4G001BB22 , 4G001BB32 , 4G001BB36 , 4G001BB71 , 4G001BC17 , 4G001BC22 , 4G001BC52 , 4G001BD03 , 4G001BD13 , 4G001BD14 , 4G001BD16 , 4G001BD23 , 4G001BE01 , 4G001BE23 , 4G001BE32 , 4G030AA07 , 4G030AA08 , 4G030AA09 , 4G030AA10 , 4G030AA12 , 4G030AA17 , 4G030AA32 , 4G030AA35 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030AA39 , 4G030BA12 , 4G030BA20 , 4G030BA21 , 4G030CA01 , 4G030CA04 , 4G030CA08 , 4G030GA14 , 4G030GA15 , 4G030GA17 , 4G030GA20 , 4G030GA27 , 4G031AA03 , 4G031AA04 , 4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA08 , 4G031AA12 , 4G031AA26 , 4G031AA28 , 4G031AA29 , 4G031AA30 , 4G031AA31 , 4G031BA12 , 4G031BA20 , 4G031BA21 , 4G031CA01 , 4G031CA04 , 4G031CA08 , 4G031GA04 , 4G031GA06 , 4G031GA11 , 5E346AA12 , 5E346AA15 , 5E346AA38 , 5E346BB01 , 5E346CC18 , 5E346CC32 , 5E346CC34 , 5E346CC38 , 5E346CC39 , 5E346DD15 , 5E346DD31 , 5E346DD34 , 5E346EE21 , 5E346GG04 , 5E346HH11 , 5G303AA05 , 5G303AB12 , 5G303AB15 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CA03 , 5G303CB01 , 5G303CB02 , 5G303CB03 , 5G303CB17 , 5G303CB19 , 5G303CB25 , 5G303CB30 , 5G303CB39 , 5G303CB40 , 5G303CD01 , 5G303CD04 , 5G303CD06 , 5G303DA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平1-141837
特開昭59-137341

審査官引用 (5件)

特開平1-141837
特開平1-141837
特開昭59-137341

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