特許

J-GLOBAL ID：200903046407813958

半導体チップ及び半導体チップの製造方法

発明者： 榎本 亮 ,  矢橋 英郎 ,  杉山 直
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 田下 明人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219251
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174052
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 高い信頼性で実装することのできる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】 引張弾性率が1.0〜3.5GPaの軟質樹脂で構成された第2の絶縁層236に非貫通孔236aが形成され、該非貫通孔の底部と壁面に析出された無電解銅めっき膜243と内部に充填された樹脂239とからなるフィルドビアが形成されており、該フィルドビア及び軟質樹脂で構成された第2の絶縁層236が半導体チップ30と基板50との熱膨張差により発生する応力を吸収できるため、電気接続部にクラックを発生させることがなく、半導体チップを高い接続信頼性でもって基板に実装することができる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極パッド側に、第1の絶縁層と導体回路層と第2の絶縁層が順に積層されてなり、前記第1の絶縁層は、半導体チップの電極パッドと導体回路層を電気的に接続するインナービアが形成されており、前記第2の絶縁層は、軟質絶縁層であって、導体回路層に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔の底部および壁面に形成された無電解銅めっき膜とその内部に充填された樹脂からなるフィルドビアが形成されてなることを特徴とする半導体チップ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 604 D ,  H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• チップサイズパッケージ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221760   出願人：沖電気工業株式会社
• ビルドアップ配線板におけるヴィアの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-268246   出願人：富士通株式会社
• バンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-204254   出願人：株式会社東芝