特許
J-GLOBAL ID:200903046411246243
N-アセチルシクロヘキシルグリシン類の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-357196
公開番号(公開出願番号):特開2000-178239
出願日: 1998年12月16日
公開日(公表日): 2000年06月27日
要約:
【要約】【課題】 N-アセチルシクロヘキシルグリシン類を高収率で且つ安価に製造する方法の提供。【解決手段】 下記一般式(I)【化1】(式中、R1 は、水素原子又はアミノ基保護基を表し、R2 は、水素原子又はカルボキシル基保護基を表す)で示されるN-アセチルシクロヘキシルグリシン類の製造方法において、下記一般式(II)【化2】(式中、R1 及びR2 は、式(I)と同義である)で示されるN-アセチルフェニルグリシン類をロジウム触媒の存在下、核水素化反応を行う。
請求項(抜粋):
下記一般式(I)【化1】(式中、R1 は、水素原子又はアミノ基保護基を表し、R2 は、水素原子又はカルボキシル基保護基を表す)で示されるN-アセチルシクロヘキシルグリシン類の製造方法において、下記一般式(II)【化2】(式中、R1 及びR2 は、式(I)と同義である)で示されるN-アセチルフェニルグリシン類をロジウム触媒の存在下、核水素化反応を行うことを特徴とする方法。
IPC (6件):
C07C231/12
, B01J 21/18
, B01J 23/46 311
, C07C233/47
, B01J 32/00
, C07B 61/00 300
FI (6件):
C07C231/12
, B01J 21/18 X
, B01J 23/46 311 X
, C07C233/47
, B01J 32/00
, C07B 61/00 300
Fターム (17件):
4G069AA01
, 4G069BA08A
, 4G069BA08B
, 4G069BC71A
, 4G069BC71B
, 4G069CB02
, 4G069FA02
, 4H006AA02
, 4H006AC11
, 4H006BA24
, 4H006BB14
, 4H006BJ20
, 4H006BS10
, 4H006BT12
, 4H006BV22
, 4H039CA40
, 4H039CB10
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