特許

J-GLOBAL ID：200903046412511269

ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： カルヤンクマール・ダス
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324306
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115191
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 ソース及びドレイン用に低抵抗のオーミックコンタクトを有し、従来の装置を使用して高精度のソース、ゲート及びドレイン領域を形成することができるダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】 ダイヤモンド電界効果トランジスタは横方向に離隔するソース及びドレイン領域15,16並びにその間の活性チャネル領域14を有するダイヤモンド層12を備えている。ソース及びドレイン領域並びに活性チャネル領域は好ましくはイオン注入により形成されている。炭化シリコンゲート17はソース領域とドレイン領域との間のダイヤモンド層上の活性チャネル領域の上に形成されている。ソース及びドレイン領域は加えてイオン注入とエッチングにより形成された高ドープ表面を有する。ゲートはソース及びドレイン領域を自己整合的に形成するためのマスクとして使用される。FETのダイヤモンド層は単結晶か又はゲートとの間に絶縁層を形成した多結晶ダイヤモンドで形成することができる。

請求項（抜粋）：

横方向に離隔したソース領域及びドレイン領域並びにその間の活性チャネル領域を有し、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は低抵抗オーミックコンタクトを形成するための高濃度ドープされた表面部を有するダイヤモンド層と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の前記高濃度ドープされた表面部の間の前記ダイヤモンド層上に設けられ、前記活性チャネル領域に重なり前記活性チャネル領域の変調を可能にする炭化シリコン層からなるゲートとを有することを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。