特許

J-GLOBAL ID：200903046414354535

電力用半導体素子

発明者： 附田 正則 ,  四戸 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271604
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101066
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 導通時やターンオフ時における電流集中による破壊を防止する。【解決手段】 半導体素子の層を形成するときに深い準位の不純物を浅い準位の不純物と混合して形成する。

請求項（抜粋）：

素子を構成する第一導電型層または第二導電型層を形成するための不純物が、二種類以上の異なる種類の導電型層を形成するドナーまたはアクセプタで構成されており、その準位の一つが0.05eV未満の値を持ち、また他の1つが0.05eV以上の値をもつ電力用半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 29/744 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (9件)：

H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 A ,  H01L 29/74 B ,  H01L 29/74 601 A ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 Z ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/91 D

Fターム (7件)：

5F005AA02 ,  5F005AA03 ,  5F005AB02 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AE09 ,  5F005AF02