特許
J-GLOBAL ID：200903046418345905
化合物半導体単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-162756
公開番号（公開出願番号）：特開2005-343715
出願日： 2004年06月01日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：
【課題】 大口径で高品質のAlGaInN系単結晶を再現性よく安定して提供し、その単結晶を利用して作製した種々の電子デバイスを提供する。【解決手段】 化合物半導体単結晶の製造方法は、六方晶系のAlxGayIn1-(x+y)N(0≦x≦1,0≦y≦1,x+y≦1)単結晶の育成過程において、その単結晶の成長方向が少なくとも厚み方向と横方向の2段階に変更されることを特徴とする。結晶の成長方向を2段階に変更するために、昇華法における温度変更またはHVPE法におけるガス流方向の変更が利用され得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
六方晶系のAlxGayIn1-(x+y)N(0<x≦1,0≦y<1,x+y≦1)単結晶の育成過程において、前記単結晶の成長方向が少なくとも厚み方向と横方向の2段階に変更されることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
C30B29/38 D
, C30B29/38 A
4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077DA18
, 4G077DB04
, 4G077DB05
, 4G077HA05
, 4G077SA01
, 4G077SA06
, 4G077TB02
, 4G077TB03
, 4G077TC05
, 4G077TC12
, 4G077TK01
, 4G077TK06
出願人引用 (3件)
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米国特許第5858086号
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米国特許6296956号
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米国特許第6001748号
審査官引用 (5件)
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