特許

J-GLOBAL ID：200903046422460344

MOS型キャパシタおよびその形成方法

発明者： 百濃 寛之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-198161
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041463
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 MOS型キャパシタの誘電体であるゲート酸化膜の薄膜化が進むと、下部電極の不純物拡散層の濃度が薄すぎ、キャパシタ容量値のキャパシタの電圧依存性が高くなり、高精度A/D変換器などに用いることができなかった。【解決手段】 上部電極がゲート電極3、誘電体がゲート酸化膜4、下部電極が加速電圧20〜60KeV,ドーズ量4×1014〜1×1015cm-2の条件でヒ素を注入することによって形成されたN++層9と加速電圧120KeV,ドーズ量1×1014cm-2の条件でリンを注入することによって形成されたN+層10とからなるMOSキャパシタを形成する。【効果】 キャパシタ容量値の電圧依存性を抑えるとともに、増殖酸化による誘電体膜厚の増加のためのキャパシタ容量値の絶対値の低下も抑えることができ、シリコン基板と下部電極との接合部における接合耐圧の低下を防止できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成されたMOS型トランジスタのゲート電極からなる上部電極と、上記MOS型トランジスタのゲート酸化膜からなる誘電体と、上記シリコン基板または半導体ウエル内に形成された上記シリコン基板または上記半導体ウエルとは逆導電型の不純物拡散層からなる下部電極とを備えたMOS型キャパシタにおいて、上記下部電極の不純物拡散層が、上記シリコン基板上面側に形成された不純物濃度の高い第1の拡散層と、上記第1の拡散層に接し上記シリコン基板底面側に形成された上記第1の拡散層より不純物濃度の低い第2の拡散層とからなり、上記第1の拡散層をP型シリコン基板またはP型ウエル内にヒ素をドーズ量4×1014〜1×1015cm-2で注入して形成したことを特徴とするMOS型キャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-191568
  
• 特開平2-039534
  
• 特開平3-191568
  
• 特開平2-039534