特許
J-GLOBAL ID：200903046424333285
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155414
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347432
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 1つの基板上に同一系の半導体からなる層を形成することにより作製され、赤色から青色の領域内で発光可能で、しかも半導体レーザとしても利用し得る半導体発光素子を提供する。【構成】 発光部11、14、12、15、13、16を形成する材料としてCu、Se、GaおよびAlのうちの少なくとも1方を含有するカルコパイライト族化合物半導体を用いる。この半導体においては、赤色から青色の領域内の光が放射される組成比の範囲内において、基板40を形成するGaAs1-xPx層101の格子定数とその格子定数が一致するので、該基板40に格子整合する半導体層を得られる。さらに、上記組成比の範囲内で選択される異なる組成比の半導体の間では、十分に大きな禁制帯幅の差を得ることができるので、半導体レーザとして利用できる半導体発光素子を作製し得る。
請求項（抜粋）：
GaAs層またはGaP層の上にGaAs1-xPx層(xは0より大で1未満)が形成された半導体基板に対し、GaAs1-xPx層上に半導体層が積層形成され、該半導体層が、該基板の格子定数とほぼ等しい格子定数を有し、かつCu、Se、ならびにGaとAlのうちの少なくとも1方を含有するカルコパイライト族化合物半導体からなる半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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