特許
J-GLOBAL ID：200903046425499675
単結晶の製造方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290064
公開番号（公開出願番号）：特開平5-124887
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：
【要約】【目的】固液界面から融液の対流を遮断し、固液界面形状が融液方向に対し凸面となるようにして、単結晶収率を良好にし、かつ成長速度を高める。【構成】電気炉のヒータは、固液界面位置制御用ヒータ1、融液形成用ヒータ2及びインゴット急冷却防止用ヒータ3から成り、各々融点(m.p.=1238°C)近辺、1245〜1250°C、1150〜1200°Cに保たれる。固液界面位置制御用ヒータ1と融液形成ヒータ2との間を引き離して隙間14を設けて、これにより温度の谷TL (=約1233〜1237°C)を形成して、温度の谷部と固液界面10との間の温度匂配を実質的に0°C/cmとする。これにより、融液内の対流が上下で遮断され、固液界面10は対流の影響を受けなくなる。
請求項（抜粋）：
炉内の垂直方向に、融液を形成する高温域から固液界面位置を制御する結晶融点近傍の界面温度域を経て融点より低い低温域に至る温度分布を形成し、高温域にある融液を界面温度域を経て低温域に移動させていくことにより柱状の単結晶を育成する垂直ブリッジマン法による単結晶の製造方法において、前記高温域と界面温度域との間に温度分布の谷を形成して、この温度の谷部と界面温度域にある固液界面との間の温度匂配を実質的に0°C/cmとすることを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 11/00
, C30B 29/42
, H01L 21/208
