特許

J-GLOBAL ID：200903046428475807

赤外線検知装置およびその製造方法

発明者： 上田 敏之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304591
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145105
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 赤外線検知装置に関し、多重量子井戸層を用いた検知装置に於いて、高空間分解能の検知装置の提供を目的とする。【構成】 半導体基板、或いは半導体層11上にコンタクト層3を介してメサ構造のエネルギーバンドギャップの大きい障壁層4とエネルギーバンドギャップの小さい井戸層5とを組み合わせて周期的に多層構造に積層した多重量子井戸層6を設け、該メサ構造の多重量子井戸層6の上部のコンタクト層7に回折格子を設けた検知装置に於いて、前記半導体基板、或いは半導体層11に不純物原子を添加して赤外線を吸収可能とするとともに、該半導体基板、或いは半導体層11に、前記多重量子井戸層6の赤外線検知素子に対向し、赤外線の入射角を規制する所定パターンの開口部12を設けたことで構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板、或いは半導体層(11)上にコンタクト層(3) を介してメサ構造のエネルギーバンドギャップの大きい障壁層(4)とエネルギーバンドギャップの小さい井戸層(5) とを組み合わせて周期的に多層構造に積層した多重量子井戸層(6) を設け、該メサ構造の多重量子井戸層(6) の上部のコンタクト層(7) に回折格子を設けた検知装置に於いて、前記半導体基板、或いは半導体層(11)に不純物原子を添加して赤外線を吸収可能とするとともに、該半導体基板、或いは半導体層(11)に、前記多重量子井戸層(6) の赤外線検知素子に対向し、赤外線の入射角を規制する所定パターンの開口部(12)を設けたことを特徴とする赤外線検知装置。