特許
J-GLOBAL ID:200903046431621300
モデルパラメータ抽出方法及び装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-127930
公開番号(公開出願番号):特開2000-322456
出願日: 1999年05月10日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【課題】MOSモデルの1つであるBSIM3のモデルパラメータ抽出に際して、物理性の高いパラメータの値を抽出するための抽出方方法を提供する。【解決手段】測定したVds-IdsとVgs-Idsのデータ1から、デバイスの短チャネル効果、狭チャネル効果、基板効果、サブスレッショルドスイング特性、サーフェスパンチスルー特性等の中間データ2を生成する。生成した中間データの値と別途測定したデバイス構造データ4からそれぞれの特性に対応したパラメータ値の抽出5を行う。【効果】物理性の高い値でモデルパラメータを抽出することができ、一部のデバイス条件を変更した場合、抽出したパラメータ値を基に、変更した条件に対応したパラメータ値を変更するだけで精度よく変更後の特性を予測できる。
請求項(抜粋):
測定したMOSFETのデバイス特性測定データと、前記MOSFETのデバイス構造データとから回路シミュレーション用のMOSFETモデルのパラメータ値を抽出するモデルパラメータ抽出方法において、前記デバイス特性測定データから所定のデバイス特性に関するデバイス特性中間データを生成し、生成された前記デバイス特性中間データと前記デバイス構造データとから、前記所定のデバイス特性に関して予め割り当てられている前記MOSFETモデルの各モデルパラメータに対するパラメータ値をそれぞれ独立に抽出することを特徴とするモデルパラメータ抽出方法。
IPC (5件):
G06F 17/50
, G01R 31/26
, H01L 29/00
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (4件):
G06F 15/60 666 L
, G01R 31/26 B
, H01L 29/00
, H01L 29/78 301 Z
Fターム (11件):
2G003AA02
, 2G003AB01
, 2G003AF02
, 2G003AH00
, 2G003AH01
, 2G003AH05
, 5B046AA08
, 5B046BA03
, 5B046JA04
, 5F040DA00
, 5F040EA00
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