特許

J-GLOBAL ID：200903046433358177

配線形成方法および配線形成装置

発明者： 川久保 隆 ,  岡崎 幸基 ,  佐野 雄二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242301
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092819
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 LSI配線等の形成方法において、アスペクト比が大きい配線溝やヴィアホール等に対しても、RIE等による加工が困難な銅等の配線材料を良好にかつ確実に埋め込むことを可能にすると共に、配線層全体としての信頼性の低下等を防止する。【解決手段】 予め配線溝3a、3bやヴィアホール3c等の配線の形成部位となる溝3を作製した絶縁膜2の表面に、配線材料4として金属箔やスパッタ法等で形成した配線材料層を配置し、この配線材料4上に例えば液体中でレーザをパルス照射する。このレーザ照射によって、配線材料4表面にプラズマを発生させ、プラズマの衝撃波により配線材料4を配線溝3a、3bやヴィアホール3b内に埋め込む。

請求項（抜粋）：

予め配線が形成される溝が設けられた基板表面に、配線材料を配置する工程と、前記配線材料上からレーザを照射し、衝撃圧力により前記配線材料を前記溝内に埋め込んで配線を形成する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。