特許
J-GLOBAL ID：200903046434023462
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184140
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021181
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 フラッシュEEPROM のように、電気的に同一のメモリ領域に対して複数回の消去動作を繰り返して消去が完遂される構成の不揮発性半導体記憶装置において、従来よりも消去に要する全体的な時間を短縮化して迅速な消去動作を実現する。【解決手段】 ベリファイ回路5で消去動作の繰り返しの内にメモリ4のセルのデータを読み出して当該セルの消去状態を判断し、セルのデータが完全に消去されていない場合には、消去パルスのパルス幅を消去回数に応じて変化させるパルス幅制御手段2,6を備えている。
請求項（抜粋）：
電気的に同一のメモリ領域に対して複数回の消去動作を繰り返して消去が完遂される構成のもので、消去動作の繰り返しのうちに少なくとも1回はメモリセルの読み出し動作であるベリファイを行って消去状態を判断し、消去動作の継続または停止を行う不揮発性半導体記憶装置において、消去パルスのパルス幅を消去回数に応じて変化させるパルス幅制御手段を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Fターム (2件)：
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