特許
J-GLOBAL ID:200903046434247581

半導体歪みセンサーとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-281627
公開番号(公開出願番号):特開2003-089579
出願日: 2001年09月17日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】 圧力に対する感度がより高く、感度の温度依存性がより小さい半導体歪みセンサーとその製造方法を提供する。【解決手段】 α型の炭化珪素セラミックス粉末に20重量%以下のアルミナおよびイットリアからなる焼結助剤を混合して焼結し得られた焼結体に電極を設けてなる半導体歪みセンサー。このセンサーは、高温での圧力に対する感度がより高く、感度の温度依存性が小さい。
請求項(抜粋):
α型の炭化珪素粉末に20重量%以下のアルミナおよびイットリアからなる焼結助剤を混合して焼結し得られた焼結体に電極を設けてなることを特徴とする半導体歪みセンサー。
FI (2件):
C04B 35/56 101 F ,  C04B 35/56 101 Y
Fターム (13件):
4G001BA03 ,  4G001BA09 ,  4G001BA22 ,  4G001BB03 ,  4G001BB09 ,  4G001BB22 ,  4G001BC21 ,  4G001BC23 ,  4G001BC32 ,  4G001BC43 ,  4G001BD11 ,  4G001BD36 ,  4G001BE02

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