特許
J-GLOBAL ID：200903046436310558

半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造装置

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-188914
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031844
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】薄型半導体素子を製造する際に生じる割れを容易に抑制し、歩留り、品質及び生産性の向上を図ることができる半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造装置を提供する。【解決手段】ペレットの分割線に沿って基板1の表面側に形成した切溝2に保護テープ3を貼着してダイシング切溝に粘着剤を充填した後に基板の裏面研削を施してペレタイズを行い、続いて保護テープ3を剥離する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板の表面側にペレットの分割線に沿って所定の深さのダイシング切溝を形成する工程と、 前記基板の表面に所定の厚さの粘着層を有する保護テープを貼着して前記ダイシング切溝内に粘着剤を充填する工程と、 前記基板に裏面研削を施してペレタイズを行う工程と、 前記基板の前記保護テープを剥離する工程とを備える ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/301
FI (5件)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 F ,  H01L21/78 M ,  H01L21/78 P ,  H01L21/78 A
引用特許：
審査官引用 (17件)
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