特許
J-GLOBAL ID：200903046438739446
金属層のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204012
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045918
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置などの基板に設けられ金属層をエッチングして、例えば外部端子との接合強度が充分な接続端子を得るための金属層のエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 金からなるバンプ電極16が形成されたシリコンウエハ10を真空装置内に配置した上、反応性イオンガスを導入してプラズマを発生させ、バンプ電極16の表面および下地層である金薄膜16aをエッチングする。反応性イオンガスとして、CF4、C2F6、C3F8、CHF3、SF6から選択された少なくとも1種のハロゲン化ガスと、CF3Cl、CF2Cl2、CFCl3、HCl、CCl4、から選択された少なくとも1種の塩素系ガスとの混入ガスを用いることにより、金薄膜16aが除去されるとともに、バンプ電極16の表面に微細な深いV字状溝が形成される。外部端子との接合時に接合剤がバンプ電極のV字状溝に喰い込むことにより接合強度が向上する。
請求項（抜粋）：
CF4、C2F6、C3F8、CHF3、SF6から選択された少なくとも1種のハロゲン化ガスと、CF3Cl、CF2Cl2、CFCl3、HCl、CCl4、から選択された少なくとも1種の塩素系ガスとの混入ガスを真空装置内に導入してプラズマを発生させ、基板に設けられた金属層をエッチングする金属層のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/321
H01L 21/302 F
, H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 604 A
