特許

J-GLOBAL ID：200903046439619649

中空構造体の製造方法、及びMEMS素子の製造方法

発明者： 木下 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (3件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信 ,  松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-160425
公開番号（公開出願番号）：特開2004-001140
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】中空構造体、例えばMEMS素子の製法において、犠牲層の除去に際しての表面張力による変形不良の防止、犠牲層の除去時間の短縮を図る。【解決手段】基板31上に基板側電極32を形成する工程と、基板側電極32上に絶縁膜33を介してまたは介さないで、同一層内に溶液と気体で夫々選択的に除去可能な2種類以上の材料からなる犠牲層37〔36、34〕を形成する工程と、犠牲層37上に駆動側電極39を有するビーム40を形成する工程と、ビーム40の実質的な振動部43以外の領域に設けられた開口44を通じて、溶液45を用いて犠牲層37のうちの溶液で除去可能な材料の部分34を選択的に除去し、置換・乾燥後に気体を用いて犠牲層37の残りの気体で除去可能な材料の部分36を除去し中空部48を形成する工程とを有する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板上に、同一層内に溶液と気体で夫々選択的に除去可能な2種類以上の材料からなる犠牲層を形成し、該犠牲層を囲うように上部薄膜層を形成する工程と、 前記上部薄膜層に設けた開口を通じて、溶液を用いて前記犠牲層のうちの前記溶液で除去可能な材料の部分を選択的に除去し、置換・乾燥後に気体を用いて前記犠牲層の残りの前記気体で除去可能な材料の部分を除去して中空部を形成する工程とを有する ことを特徴とする中空構造体の製造方法。

IPC (3件)：

B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08

FI (3件)：

B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 E

Fターム (4件)：

2H041AA14 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ08