特許
J-GLOBAL ID：200903046441175367
フォトマスクおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-010337
公開番号（公開出願番号）：特開平5-204129
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、位相シフタと遮光パターンとの相対位置誤差を低減させたフォトマスクを得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 フォトマスクは、透明基板1と、透明基板1の表面上に設けられた遮光パターン2と、を備える。透明基板1の表面中に、位相シフタ3として機能する溝が設けられている。上記溝の側壁面は、上記遮光パターン2の側壁面と同一平面にある。
請求項（抜粋）：
透明基板と、前記透明基板の表面上に設けられた遮光パターンと、前記透明基板の表面中に設けられ、位相シフタとして機能する溝と、を備え、前記溝の側壁面は前記遮光パターンの側壁面と同一平面にある、フォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
