特許

J-GLOBAL ID：200903046442841310

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 鈴樹 正恭 ,  竹田 敏文 ,  岡 保志 ,  吉田 安子 ,  春田 亮
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-125157
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061177
出願日： 1992年05月19日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路装置を構成する配線の下地金属膜と半導体基板との接触抵抗を低減する。【構成】 半導体集積回路装置を構成する配線10の下地金属膜10aと、半導体基板1上の半導体層5との接触部に、下地金属膜10aと半導体基板1との各々の構成原子が化合されてなり、かつ、半導体基板1に対してエピタキシャルとなるシリサイド層12を設けた。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の絶縁膜上に下地金属膜と導体膜とを下層から順に積層してなる配線を設けるとともに、前記下地金属膜と前記半導体基板との接触部に、下地金属膜および半導体基板の各々の構成原子が化合されてなり、かつ、前記半導体基板に対してエピタキシャルである化合物層を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/46 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-296764
  
• 特開昭58-138053