特許
J-GLOBAL ID：200903046448610670
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120076
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307102
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 MIS構造の微細化を妨げることなくホットキャリア劣化の原因となる電界集中を緩和できるようにすることを課題とする。【解決手段】 ゲート電極1下方のP形シリコン基板11中のソース6-ドレイン5間で導電形を反転させてチャネルを形成するMOS構造において、そのチャネル領域のソース6及びドレイン5のいずれの端部からも離間した位置に、P形シリコン基板11の導電形にほぼ等しい導電形をもつ例えばB(ボロン)イオンをイオンインプラントして電界緩和領域4を設け、ゲート電極1の印加時にその電界緩和領域4は反転が弱まり、高抵抗となる。この高抵抗領域による電圧降下によって、ドレイン端部での電界集中を緩和する。
請求項（抜粋）：
ゲート電極下方の半導体基板中のソース-ドレイン間で前記半導体基板の導電形を反転させてチャネルを形成する半導体装置において、前記チャネルを形成する領域のうち、前記ソース及びドレインのいずれからも離間した領域に、前記ゲート電極に前記チャネルを形成する電圧が印加された際に、他の領域よりも反転状態が弱く高抵抗となる電界緩和領域を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 L
