特許

J-GLOBAL ID：200903046452996605

ダブルマスキングを施した光磁気記憶媒体

発明者： デトレフ ラーシュ ,  ハルム アルベルト ウィーレンガ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-229095
公開番号（公開出願番号）：特開2001-056974
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】小さいビットの再生が可能であり、高い記録密度を得られる光磁気記憶媒体を提供する。【解決手段】磁気超解像(MSR)により情報の保存及び再生を行う光磁気記憶媒体は、基板と、バイナリデータ情報のキャリアとしての磁区を持つ希土類と遷移金属との合金からなるMSR再生層と、バイナリデータ情報のキャリアとしての磁区を持つ希土類と遷移金属との合金からなる記録層とを、この順で備える。この光磁気媒体において、MSR再生層の希土類と遷移金属との合金の磁区が、室温TRにおいては、全てのデータに対する層面に平行な磁化方向を示し、室温TRよりも高い第1の転移温度Ttr,1と、第1の転移温度Ttr,1よりも高い第2の転移温度Ttr,2との間の温度T1においては、層面に垂直な磁化方向を示し、第2の転移温度T2とキュリー温度TCurieとの間の温度T2においては、層面に平行な磁化方向を示す。

請求項（抜粋）：

磁気超解像(MSR)により情報の保存及び再生を行う光磁気記憶媒体において、基板と、バイナリデータ情報のキャリアとしての磁区を持つ希土類と遷移金属との合金からなるMSR再生層と、バイナリデータ情報のキャリアとしての磁区を持つ希土類と遷移金属との合金からなる記録層とを、この順で備え、MSR再生層の希土類と遷移金属との合金の磁区が、室温TRにおいては、全てのデータに対する層面に平行な磁化方向を示し、室温TRよりも高い第1の転移温度Ttr,1と、第1の転移温度Ttr,1よりも高い第2の転移温度Ttr,2との間の温度T1においては、層面に垂直な磁化方向を示し、第2の転移温度T2とキュリー温度TCurieとの間の温度T2においては、層面に平行な磁化方向を示すことを特徴とする光磁気記憶媒体。

IPC (3件)：

G11B 11/105 516 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 511

FI (3件)：

G11B 11/105 516 G ,  G11B 11/105 506 B ,  G11B 11/105 511 Q