特許

J-GLOBAL ID：200903046454113620

半導体素子剥離方法及びその装置

発明者： 山内 淨 ,  玉城 仁 ,  松永 義昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118637
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306976
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 針による突き上げ機構を使用せず、任意の位置の半導体素子を任意の時期で容易に剥離することのできる半導体素子剥離方法及びその装置を得る。【解決手段】 紫外線の照射によって粘着力を低下させるダイシングシート25に複数の半導体素子5を貼り付け、この複数の半導体素子5のうち任意のものをダイシングシート25から剥離する半導体素子剥離方法において、剥離対象の半導体素子5aを接着するダイシングシート25の接着部分のみに半導体素子貼り付け面と反対側の面から紫外線を照射し、剥離対象である半導体素子5aのみを吸着保持してダイシングシート25から剥離する。

請求項（抜粋）：

紫外線の照射によって粘着力を低下させるダイシングシートに複数の半導体素子を貼り付け、該複数の半導体素子のうち任意のものを前記ダイシングシートから剥離する半導体素子剥離方法において、剥離対象の半導体素子を接着する前記ダイシングシートの接着部分のみに半導体素子貼り付け面と反対側の面から紫外線を照射し、前記剥離対象である半導体素子のみを吸着保持して前記ダイシングシートから剥離することを特徴とする半導体素子剥離方法。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  C09J 7/02 JHB ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/50 ,  H01L 21/301

FI (6件)：

H01L 21/68 E ,  H01L 21/68 P ,  C09J 7/02 JHB ,  H01L 21/50 Z ,  H01L 21/26 L ,  H01L 21/78 Y