特許

J-GLOBAL ID：200903046455713736

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 山本 明広
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331415
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162943
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】 Al合金および高融点金属の積層配線において側壁の窪みの無いAl合金膜のパターンを実現する。【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜11の上に、Al合金膜12とTiN膜13を順次形成し、その上にレジストパターン14を形成する。TiN膜13およびレジストパターン14を覆うAl合金犠牲膜15を形成する。塩素系ガスを用いたドライエッチングにより、Al合金犠牲膜15を除去し、続いてレジストパターン14をマスクとしてTiN膜13とAl合金膜12とをエッチングしてTiNパターン16とAl合金パターン17とを形成する。このとき、Al合金膜12のエッチング直前にはAl合金犠牲膜15のエッチング時に発生したAlCl3 系反応生成ガスが残留しているため、Al合金パターン17の側壁にはAlCl3 系反応生成物18がエッチング初期段階から十分に付着し、塩素系ガスから保護され、窪みは発生しない。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成した絶縁膜上に第1のアルミニウム合金膜を形成する工程と、前記第1のアルミニウム合金膜上に高融点金属膜を形成する工程と、前記高融点金属膜上に配線パターンに対応するレジストパターンを形成する工程と、前記高融点金属膜と前記レジストパターンを覆うように第2のアルミニウム合金膜を形成する工程と、ドライエッチングを行うことにより前記第2のアルミニウム合金膜を除去するとともに前記レジストパターンをマスクとして前記高融点金属膜と前記第1のアルミニウム合金膜とを部分的に除去して配線を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 G ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 N