特許

J-GLOBAL ID：200903046455738275

半導体集積回路における静電気保護装置

発明者： 中村 博之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 亮一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-110034
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294691
出願日： 2004年04月02日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】パッドへ印加される静電気パルスから回路的に生成したパルスをマルチフィンガー型NMOSトランジスタのバックゲートへ均一に印加することで、寄生のNPNトランジスタをONさせるバックゲートの電界拡がり、電位上昇を得ること。【解決手段】P型半導体基板上に構成される半導体集積回路の静電破壊保護素子を駆動する回路であって、複数のゲート電極を有するマルチフィンガータイプのNMOSトランジスタを半導体基板と反対導電型の拡散層で囲繞するように構成された保護素子において、静電気パルスを利用して回路的に生成されるパルスを、前記の囲繞された領域に印加するようにしたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

P型半導体基板上に構成される半導体集積回路の静電破壊保護素子を駆動する回路であって、複数のゲート電極を有するマルチフィンガータイプのNMOSトランジスタを半導体基板と反対導電型の拡散層で囲繞するように構成された保護素子において、 静電気パルスを利用して回路的に生成されるパルスを、前記の囲繞された領域に印加するようにしたことを特徴とする半導体集積回路における静電気保護装置。

IPC (4件)：

H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L27/06 311C ,  H01L27/04 H ,  H01L29/78 301K

Fターム (34件)：

5F038BH06 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CD19 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB02 ,  5F048BC02 ,  5F048BD00 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF18 ,  5F048BH05 ,  5F048CC09 ,  5F048CC11 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F140AA31 ,  5F140AA38 ,  5F140AB03 ,  5F140AB04 ,  5F140BF53 ,  5F140BH03 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140CB07 ,  5F140CB08 ,  5F140DA01 ,  5F140DA06