特許
J-GLOBAL ID：200903046456413485
半導体製造用炭化珪素質部材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-218243
公開番号（公開出願番号）：特開平6-048837
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：
【要約】【構成】 炭化珪素と金属珪素とからなる半導体製造用炭化珪素質部材において、該部材中の酸素含有量が50ppm以上であることを特徴とする半導体製造用炭化珪素質部材を提供する。【効果】 本発明の半導体製造用炭化珪素質部材は、炉芯管などに適用した場合、シリコンウエハーを鉄などの金属不純物で汚染させることを可及的に防止したもので、高品質の半導体製造に用いることができる。また本発明の製造方法によれば、かかる炭化珪素質部材を容易確実に製造することができる。
請求項（抜粋）：
炭化珪素と金属珪素とからなる半導体製造用炭化珪素質部材において、該部材中の酸素含有量が50ppm以上であることを特徴とする半導体製造用炭化珪素質部材。
IPC (3件)：
C04B 35/56 101
, C04B 35/56
, H01L 21/22
