特許
J-GLOBAL ID：200903046463583272
化学変性スチレン系重合体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大谷 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130346
公開番号（公開出願番号）：特開平5-320250
出願日： 1992年05月22日
公開日（公表日）： 1993年12月03日
要約：
【要約】【目的】 高性能化のための多種の官能基や置換基が導入された結晶性シンジオタクチックスチレン系重合体を簡便かつ効率よく製造する方法を提供すること。【構成】 シンジオタクチック構造のスチレン系重合体又はシンジオタクチック構造の側鎖に二重結合を有するスチレン系共重合体に、ベンゼンへの置換反応試剤,α位水素置換反応試剤の側鎖炭素-炭素二重結合への付加反応試剤の中から選ばれた少なくとも一種を作用させて、変性量が10-4〜15モル%となるように化学変性することにより、結晶性化学変性スチレン系重合体を製造する方法、及び還元粘度が0.01〜20デシリットル/g(TCB中、135°C,0.05g/デシリットル)で結晶融解温度が230〜350°Cである、シンジオタクチック構造の繰り返し単位と10-4〜15モル%の化学変性繰り返し単位とを含有する結晶性化学変性スチレン系重合体。
請求項（抜粋）：
(A)一般式【化1】〔式中、R1 は水素原子,アルキル基,アルコキシ基,アリール基又はケイ素含有基を示し、mは1〜5の整数であり、mが複数の場合、m個のR1 は同一でも異なるものであってもよい。〕で表わされる繰り返し単位からなるシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体、又は前記(A)繰り返し単位と(B)一般式【化2】〔式中、R2 は炭素数1〜20の炭化水素基、R3 及びR4 は、それぞれ水素原子,ハロゲン原子又は炭素数1〜8の炭化水素基を示し、nは1〜4の整数であり、nが複数の場合、n個のR4 は同一でも異なるものであってもよい。〕で表わされる繰り返し単位及び/又は(C)一般式【化3】〔式中、R5 及びR6 は、それぞれ水素原子,ハロゲン原子あるいは炭素数1〜8の炭化水素基を示し、pは1〜4の整数であり、pが複数の場合、p個のR6は同一でも異なるものであってもよい。〕で表わされる繰り返し単位とを含むシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体に、ベンゼン環への置換反応試剤,α位水素置換反応試剤及び側鎖炭素-炭素二重結合への付加反応試剤の中から選ばれた少なくとも一種を作用させて、変性量が10-4〜15モル%となるように化学変性することを特徴とする結晶性化学変性スチレン系重合体の製造方法。
IPC (4件)：
C08F 12/00 MJU
, C08F 8/00 MFV
, C08F 12/34 MJT
, C08F 30/08 MNU
