特許

J-GLOBAL ID：200903046470320139

水素ガス検出素子及びその製造方法

発明者： 上木 正聡 ,  横井 等 ,  大島 崇文 ,  安川 佳和 ,  村松 京市
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社 ,  株式会社クラベ
代理人 (1件)： 小島 清路
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-135344
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328108
出願日： 2001年05月02日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 水素ガスに対する感度が高く、且つ十分な選択性を有し、優れた応答性を備える水素ガス検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ダイアフラム型のシリコン基板1と、SnO2等の酸化物半導体からなるガス感応膜5と、Pt等からなる一対の櫛歯電極4と、Pd、Pt等からなる触媒クラスタ6と、SiO2からなる部分被毒体7と、を備え、部分被毒体がSi膜を加熱せずに酸化させて形成された水素ガス検出素子を得る。また、シリコン基板のガス感応膜に対応する部位は異方性エッチングされ、キャビティ11が形成されている。ガス感応膜は、真空蒸着法により形成された金属錫膜を酸化雰囲気において酸化させて形成されたSnO2膜等とすることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも表層が絶縁性を有する基板と、該基板上に形成された酸化物半導体からなるガス感応膜と、該ガス感応膜と接して形成された一対の電極と、該ガス感応膜と接する貴金属からなる触媒クラスタと、少なくとも該触媒クラスタと接するSiO2からなる部分被毒体と、を備え、該部分被毒体がSiを加熱せずに酸化させて形成されたものであることを特徴とする水素ガス検出素子。

FI (2件)：

G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B

Fターム (32件)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC03 ,  2G046BE03 ,  2G046BF01 ,  2G046DB05 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046FB02 ,  2G046FE00 ,  2G046FE02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE11 ,  2G046FE12 ,  2G046FE15 ,  2G046FE16 ,  2G046FE25 ,  2G046FE26 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE34 ,  2G046FE35 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44 ,  2G046FE46 ,  2G046FE48