特許

J-GLOBAL ID：200903046471933088

プロセス状態検出装置、および半導体センサ状態検出回路

発明者： 山本 芳巳 ,  飛田 朋之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022358
公開番号（公開出願番号）：特開平6-235672
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】ワンチップ上に差圧,圧力(静圧),温度センサを有する複合機能形差圧センサにおいて、主歪センサである差圧センサの経時変化を検出し、より精度の高い差圧信号を得る。【構成】差圧を検出する差圧検出手段と、温度を検出する温度検出手段と、静圧を検出する静圧検出手段とを単一チップの半導体基板に具備する差圧伝送器において、複合センサ以外の部分に基準抵抗を配置し、主センサである差圧センサの4個の抵抗体とブリッジを2組構成することにより、センサの寿命を予測するよう構成した複合機能形差圧センサ(図5参照)。【効果】(1)高精度の差圧信号を得ることができ、制御精度が向上する。(2)センサの寿命予測ができる。(3)保守管理の工数を大幅に低減することがてきる。

請求項（抜粋）：

プロセスの物理状態に感応して抵抗値が変化する第一の抵抗、および第二の抵抗を有する半導体センサを備えたプロセス状態検出装置において、前記第一の抵抗と第二の抵抗の抵抗値を比較する手段を備えたプロセス状態検出装置。

IPC (2件)：

G01L 13/06 ,  G01D 21/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-310402
  
• 特開平2-185706
  
• 特開昭60-085405